最小的电子管芯片_最小的电子管芯片

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⊙﹏⊙‖∣° 麻省理工突破障碍,多层芯片或为AI硬件带来计算力飞跃电子堆叠技术能够成倍增加芯片上的晶体管数量,助力实现更高效的人工智能硬件。然而,当前电子工业正逼近计算机芯片表面容纳晶体管数量... 能制造更小、高性能晶体管。此前工作中,团队在有非晶体涂层的硅芯片及现有TMD上生长TMD,通过在硅片覆盖二氧化硅薄膜并画微小开口让...

华微电子申请低漏电高可靠性高压整流二极管芯片制备方法专利,提高...金融界2024年4月6日消息,据国家知识产权局公告,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“一种低漏电高可靠性高压整流二极管芯片制备方法“,公开号CN117832083A,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明涉及微电子芯片生产制造领域,具体为一种低漏电高可靠性高压整流二...

●＾● 江苏吉芯微电子取得一种二极管芯片封装设备专利,可使封装后的二极...金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,江苏吉芯微电子科技有限公司取得一项名为“一种二极管芯片封装设备”的专利,授权公告号CN 221861627 U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本申请提供一种二极管芯片封装设备,涉及二极管加工技术领域,该二极管芯片封装...

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麻省理工工程师研发出“高层”3D芯片电子堆叠技术可以成倍增加芯片上的晶体管数量,从而实现更高效的人工智能硬件。 当前,电子工业正在接近计算机芯片表面所能容纳的晶体管数量的极限。因此,芯片制造商正在寻求建立而不是向外发展。 该行业的目标不是将越来越小的晶体管挤在一个表面上,而是将晶体管和半导体元...

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江苏新顺微电子申请一种提高高反压三极管芯片抗电子辐照能力的工艺...金融界 2024 年 8 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏新顺微电子股份有限公司申请一项名为“一种提高高反压三极管芯片抗电子辐照... 在 ts 满足高反压三极管要求的同时其 hFE 及 K 值的衰减量较小,从而能够制造出高质量的高反压三极管芯片。

川渠电子取得六颗芯片组成的全彩发光二极管封装结构专利,具有高...金融界2024年9月28日消息,国家知识产权局信息显示,东莞市川渠电子科技有限公司取得一项名为“一种六颗芯片组成的全彩发光二极管封装结构”的专利,授权公告号 CN 221766763 U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种六颗芯片组成的全彩发光二极管封装结...

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晶扬电子申请能够替代PMOS管的开关芯片专利,能够实现替代PMOS管...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种能够替代PMOS管的开关芯片”的专利,公开号CN 118984150 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明提供了 一种能够替代PMOS管的开 关芯片,包括输入引脚、输 出引脚、控...

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盐城威蓝电子科技有限公司申请一种具备防卡料结构的芯片包装管专利...金融界 2024 年 9 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,盐城威蓝电子科技有限公司申请一项名为“一种具备防卡料结构的芯片包装管”的专利,公开号 CN 118683847 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明公开了一种具备防卡料结构的芯片包装管,包括管壳,管壳内壁两侧均...

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艾为电子取得功率管的测试电路以及电源保护芯片专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,上海艾为电子技术股份有限公司取得一项名为“功率管的测试电路以及电源保护芯片”的专利,授权公告号 CN 113655358 B,申请日期为 2021年7月。

维沃申请功放芯片等专利,实现对功率管路径导通或断开状态的控制金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,维沃移动通信有限公司申请一项名为“功放芯片、电子设备、控制方法及装置”的专利... 且所述第一功放模组的输入端与输出端之间设置有多组并联的功率管路径;所述控制模组与所述第一功放模组的控制端连接,所述控制模组用于...